根據摩根士丹利證券最新發布的半導體產業報告指出，記憶體市場正呈現顯著的動能分歧，尤其在主流記憶體與舊記憶體（Legacy Memory）之間。這份報告澄清了先前市場對DDR4記憶體降評引發的疑慮，強調其謹慎看法主要限於舊記憶體市場，並未看淡整體主流記憶體的前景。報告明確指出，人工智慧（AI）需求持續支撐主流動態隨機存取記憶體（DRAM）市場，而DDR4則因前期價格飆漲已面臨擴產壓力與消費端需求的反噬，預計漲幅將逐季收斂。
主流與舊記憶體動能脫鉤：AI需求支撐主流市場，DDR4面臨擴產壓力
摩根士丹利分析師團隊在報告中深入釐清，舊記憶體的容量基數遠小於主流市場，兩者的供需動能已完全脫鉤。當前主流動態隨機存取記憶體（DRAM）持續受惠於人工智慧運算瓶頸轉向資料移動，加上多層記憶體系統（HBM）需求爆發，使得整體供給維持緊俏格局。相較之下，DDR4因前期價格大幅上漲，已刺激主要供應商擴充產能或延後停產計畫。
摩根士丹利分析師團隊在報告中指出：「舊記憶體的容量基數遠小於主流市場，兩者的供需動能完全不同。」
據相關統計，市場預期華邦電（2344）今年位元出貨將呈現倍增，而南亞科（2408）的新產能則預計於明年下半年陸續上線。此外，中國長鑫存儲明年產能將翻倍，力積電（6770）亦可能取得先進製程授權量產，這些因素共同導致主流記憶體的供給瓶頸無法直接套用於DDR4市場，凸顯了兩者截然不同的產業動態。
消費端需求反噬：DDR4漲幅逐季收斂，缺乏AI題材挹注
在需求層面，DDR4合約價截至今年2月已飆漲逾752%，儘管3月漲勢仍延續，但過高的報價已開始破壞包含智慧型手機與個人電腦在內的部分消費端需求，引發小客戶的反彈。外資觀察到，供應商現階段更傾向於出清庫存以落袋為安，而非持續囤貨，這顯示後續上漲空間已相對受限。
外資觀察指出：「供應商現階段更傾向於出清庫存以落袋為安，而非持續囤貨，顯示後續上漲空間已相對受限。」
此外，DDR4缺乏直接的人工智慧題材曝光，無法受惠於相關消耗量激增的趨勢。儘管預期短期價格仍將維持上漲格局，但漲幅將呈現逐季放緩的態勢。以外資推估的季增率模型來看，華邦電為50%、50%、30%與10%，南亞科則為55%、40%、20%與10%，下半年年增率明顯趨緩，成為摩根士丹利轉趨謹慎的關鍵轉折訊號。
Legacy NAND迎結構性短缺：旺宏躍居首選標的
儘管對DDR4看法轉趨保守，摩根士丹利高度看好Legacy NAND未來的市場潛力，認為其走勢將與DDR4正式脫鉤。由於全球主要供應商持續削減產能，該領域正面臨結構性的供給短缺，預估今年下半年MLC NAND的短缺率可能高達40%。由於工業與企業級應用對於價格敏感度較低，且高度仰賴MLC較佳的耐用度，在強勁需求支撐下，預估相關產品價格今年將飆漲逾200%。
摩根士丹利報告預估：「今年下半年MLC NAND的短缺率可能高達40%。」
在此趨勢下，外資將旺宏（2337）列為大中華區半導體產業的首選標的，看好其能充分捕捉這波漲價紅利。同時點出華邦電（2344）將受惠於利基型記憶體價格走升，南亞科（2408）則在市場洗牌效應下穩步得利，力積電（6770）則具備與美光合作的長線潛力，整體大中華區半導體產業仍維持具吸引力的正向展望。三星電子（005935.KS）特別股目標價則基於普通股折價15%設定，預期相關個股將在供需結構轉換中各自表述。
數據背後的啟示：記憶體產業的結構性轉變
摩根士丹利這份最新報告揭示了記憶體產業正經歷一場深層的結構性轉變。隨著AI應用的蓬勃發展，主流記憶體市場展現出強勁的成長韌性，而舊記憶體如DDR4則面臨供需失衡的挑戰。投資人應審慎評估不同記憶體產品線的市場動態，特別關注Legacy NAND等具備結構性短缺潛力的領域，其獨特的供需格局有望帶來超乎預期的表現。
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