根據 TrendForce 最新的研究報告，2027 年記憶體市場將呈現兩極分化的情況。DRAM 供給持續吃緊，而 NAND Flash 則逐漸趨向寬鬆。
DRAM 供給緊張，價格走勢偏強
TrendForce 表示，2027 年 DRAM 市場的需求將主要由 AI 應用驅動。HBM（高頻寬記憶體）的持續排擠產能，加上 AI 伺服器需求強勁，使得 CPU 記憶體與 HBM 的採購動能不斷增加，導致供給緊張的局面。
為了因應 AI 基礎設施擴張的中長期需求，各大 DRAM 廠商已提前啟動產能擴充計劃。短期內，供應商積極提高既有廠區的產能，並加速製程升級，降低產品轉換頻率，以支持 2026 年整體位元供給的擴張。
然而，2027 年尽管有多家供應商計劃投放新產能，但受限于廠房建設、設備移機、原物料等前置作業的約束，大多數新廠的投片放量將落在 2027 年下半年，大幅產出貢獻則於 2028 年發酵。
HBM 制造所需的晶圆投入远高于普通型 DRAM（conventional DRAM），导致新增投片量无法等比例转换为有效位元产出。上述因素将限制 2027 年整体 DRAM 位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。
NAND Flash 產能提高，供需結構反轉
2026 年，NAND Flash 廠商主要通过制程升级增加位元供給。由于 AI 伺服器和高容量企业级 SSD 需求旺盛，供应商持续提高供给比重，以避免消费端需求平淡可能导致的盈利风险。
2027 年，各大厂加速转进至高层数产品与新厂产能逐步释放，位元供給成长幅度将超越 2026 年，市场产出规模明显扩张。
从需求面观察，伺服器部署需求稳健，CSP（云端服务提供商）与企业客户对高速大容量企业级 SSD 的採購力道強勁，尤其是 QLC SSD，将成为支撑 2027 年 NAND Flash 位元需求增长的主力。
然而，消費性電子產品因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。2027 年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱的背景下，市場供需將迎來结构性反轉，TrendForce 已先提出 2027 年 sufficiency ratio 將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。
從產業面來看，2027 年記憶體市場的分化趨勢將對各廠商的策略產生重大影響。DRAM 供給緊張將推動價格走勢偏強，有利於供應商；而 NAND Flash 供過於求則可能迫使廠商調整產能配置，以應對市場變局。
後續觀察與展望
2027 年記憶體市場的走向仍存在諸多不確定因素。DRAM 市場的供需缺口擴大，將影響主要 CSP 的資本支出規劃和記憶體購入策略。若代理 AI 普及取得突破性進展，能再拉抬高速 SSD 需求，使整體供需趨近平衡。
NAND Flash 市場則需密切關注消費性電子需求的變化，以及新產能的逐步釋放。廠商需靈活調整產能配置，以應對市場的動態變化。
面對未來的不確定性，業界人士和投資者應保持警覺，密切關注市場動態，並及時調整策略，以應對可能的挑戰。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
2027 年 DRAM 市場的供需缺口會如何影響價格？
2027 年 DRAM 市場的供需缺口擴大將推動價格走勢偏強，有利於供應商。
NAND Flash 市場在 2027 年將面臨哪些挑戰？
NAND Flash 市場在 2027 年將面臨消費性電子需求疲軟和新產能逐步釋放的挑戰，供需格局可能轉為寬鬆。
代理 AI 的普及將如何影響記憶體市場？
若代理 AI 普及取得突破性進展，能再拉抬高速 SSD 需求，使整體供需趨近平衡。
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