近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方合作範圍有望延伸至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件。此消息引起市場廣泛關注，特別是在 AI 資料中心電力基礎設施的布局方面。截至截稿前，台達尚未對相關市場傳聞作出回應，公司亦正值法說會前的緘默期。
市場反應與各方觀點
隨著 AI 資料中心機櫃功率不斷攀升，800 V 高壓直流（HVDC）逐漸成為新一代供電架構的發展方向，未來更有望朝固態變壓器（SST）演進。碳化矽因其耐高壓、高效率及低損耗等特性，成為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，對於支撐未來 MW 等級 AI 資料中心至關重要。
英飛凌作為全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件均具備完整的產品布局，其產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。近年來，隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。
值得注意的是，台達近年來持續布局 SST 技術。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除目前積極推動 800 V 電源架構外，SST 預計最慢將於 2027 年迎來市場爆發。市場普遍認為，若雙方合作進一步深化至 SiC 領域，將有助於台達在 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件方面取得更大突破。
背景補充
英飛凌去年宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（Vertical Power Delivery，VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案。雙方表示將持續合作開發可支援未來 MW 等級 AI 機櫃的新一代供電架構。
從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅能強化兩家公司在 AI 資料中心電力基礎設施的市場地位，更有望加速碳化矽技術的普及和應用。隨著 AI 資料中心的需求不斷增加，這將成為一個重要的技術突破點，值得市場持續關注。
市場對台達與英飛凌的合作持樂觀態度，認為這將有助於雙方在未來的競爭中佔據有利位置。然而，具體合作細節仍需等待官方進一步確認，後續發展如何，仍需拭目以待。
行動呼籲
對於關注 AI 資料中心電力基礎設施的讀者，不妨持續關注台達電與英飛凌的最新動態，了解這一領域的技術進步和市場變化。同時，如果你對碳化矽技術有興趣，也可以深入研究其在高壓、高效能應用中的潛力，這將對未來的技術發展有更深的理解。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
什麼是碳化矽（SiC）？
碳化矽是一種半導體材料，具有耐高壓、高效率及低損耗等特性，廣泛應用於高壓電力轉換和高效能電源管理。
台達電與英飛凌的合作有哪些重點？
台達電與英飛凌的合作重點包括共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，並可能進一步拓展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件。
碳化矽在 AI 資料中心中有什麼應用？
碳化矽在 AI 資料中心中主要應用於 800 V 高壓直流（HVDC）和固態變壓器（SST），可以提高中高壓電力轉換效率，支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的需求。
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