近期最新基準測試結果顯示，三星首款採用 2 奈米 GAA 製程的 Exynos 2600 晶片，在 Geekbench 6 運行時峰值功耗高達 30W，此一數據不僅引發業界對其能效表現的擔憂，更凸顯了與台積電 3 奈米製程晶片（如 Snapdragon 8 Elite Gen 5）之間存在的顯著差距，為三星在先進製程技術上的發展投下變數。
Exynos 2600 實測數據揭示高功耗疑慮
根據 YouTube 頻道 TechStation365 的詳盡測試，Exynos 2600 晶片在執行 Geekbench 6 基準測試時，其峰值功耗達到了驚人的 30.22W。相較之下，採用台積電 3 奈米製程的 Snapdragon 8 Elite Gen 5 晶片，在相同測試條件下，峰值功耗僅為 21.48W。這意味著 Exynos 2600 的功耗比 Snapdragon 8 Elite Gen 5 高出 40.69%，儘管兩者在單核與多核分數上表現相近，Exynos 2600 的單核分數為 3,271 分，多核分數為 10,745 分，分別比 Snapdragon 8 Elite Gen 5 慢 10.16% 和 1.14%。
此高功耗數據令人質疑三星 2 奈米 GAA 製程的實際能效表現。外媒 WCCFtech 分析指出，即便峰值功耗僅維持數秒，但這足以預示搭載 Exynos 2600 的裝置，例如未來的 Galaxy S26 系列手機，在長時間執行高負載應用時，可能面臨散熱與電池續航的嚴峻挑戰。目前關於 Exynos 2600 在 Geekbench 6 中達到如此高功耗的確切原因尚不明朗，業界推測可能與 CPU 核心數的增加以提升多核心表現，或 Geekbench 6 程式設計強制 SoC 達到最高頻率有關。
製程技術競逐：三星 2 奈米 GAA 面臨挑戰
理論上，新一代的 2 奈米 GAA 製程應在效能與能效方面超越舊有製程技術。然而，Exynos 2600 的實測結果卻顯示，三星的 2 奈米 GAA 製程在能效轉換上仍有待改進，尤其與台積電成熟的 3 奈米技術相比，差距顯而易見。這不僅是技術節點的數字競爭，更是實際產品性能與使用者體驗的關鍵。
外媒 WCCFtech 評論指出：「儘管峰值功耗可能只維持幾秒，但這顯示 Galaxy S26 在長時間高負載運行時可能表現不佳，因為 Exynos 2600 功耗偏高。」
這項測試結果對三星在高端行動晶片市場的競爭力構成壓力。市場普遍認為，晶片製造商的製程技術領先，是其在市場上取得優勢的基石。台積電憑藉其在 3 奈米製程上的優異表現，持續鞏固其作為全球領先晶圓代工廠的地位，並為其合作夥伴提供更具競爭力的解決方案。
能效表現落差：壓縮測試與多核心需求
除了 Geekbench 6 的綜合測試，Exynos 2600 在其他特定任務中的能效表現同樣不盡理想。例如，在解壓縮測試中，Exynos 2600 的峰值功耗仍高達 13W，而 Snapdragon 8 Elite Gen 5 與 Snapdragon 8 Gen 5 則均能保持在 5W 以下。TechStation365 在經過多次測試並計算平均值後，總結認為 Exynos 2600 存在「功耗不足」的問題，意即其 10 核心設計需要更大的電力輸入才能達到最佳運作效能。
以下為主要晶片在效能與功耗上的對比關鍵數據：
- Exynos 2600： 單核 3,271 分，多核 10,745 分，峰值功耗 30.22W。
- Snapdragon 8 Elite Gen 5： 單核 3,641 分，多核 10,902 分，峰值功耗 21.48W。
- Snapdragon 8 Gen 5： 單核 2,904 分，多核 9,443 分，峰值功耗 21.89W。
這些數據清晰地呈現了 Exynos 2600 在能效方面與競爭對手之間的顯著差距，尤其是在需要持續高功率輸出的情境下。
展望與影響
Exynos 2600 的最新實測結果，無疑為三星在先進製程技術的發展之路，劃下了一道深刻的考題。在行動晶片市場競爭日益激烈的當下，晶片效能與能效的平衡，直接關係到終端產品的市場接受度與消費者體驗。若三星無法有效解決 2 奈米 GAA 製程的功耗問題，恐將影響其未來旗艦手機的市場競爭力。
這項挑戰也促使業界更密切關注晶圓代工技術的發展趨勢。台積電在先進製程上的穩定領先，使其持續成為眾多晶片設計公司的首選合作夥伴。對三星而言，如何優化其 2 奈米 GAA 製程，使其在能效上達到甚至超越競爭對手，將是其未來幾年內最重要的技術攻堅目標。